近年來，為了實現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負荷的目標，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優(yōu)勢。因此，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件在電動汽車上的應用寄予厚望。
    n羅姆第4代SiC MOSFET應用于“三合一”電橋
    近日，上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。據(jù)悉，對比現(xiàn)有電橋產(chǎn)品，這款SiC“三合一”電橋在能耗表現(xiàn)方面非常搶眼，每百公里可節(jié)約0.645kW·h電能。以上汽大眾在ID 4X車型上的測試結(jié)果為例，對比傳統(tǒng)的IGBT方案，整車續(xù)航里程提升了4.5%。由此可知，SiC電橋方案的優(yōu)勢非常明顯。但作為一種新技術(shù)，SiC電控系統(tǒng)還存在一些開發(fā)難點，比如SiC模塊的本體設(shè)計，以及高速開關(guān)帶來的系統(tǒng)EMC應對難題。值得一提的是，臻驅(qū)科技此次完成試制的“三合一”電橋采用的是羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分發(fā)揮了碳化硅器件的性能優(yōu)勢。
    羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導通電阻的產(chǎn)品。該產(chǎn)品用于車載主驅(qū)逆變器時，效率更高，與使用IGBT時相比，效率顯著提升，因此非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程，并減少電池使用量，降低電動汽車的成本。

    圖 | 第4代SiC MOSFET和IGBT的逆變器效率比較
    n羅姆第4代SiC MOSFET的獨特優(yōu)勢
    羅姆作為碳化硅領(lǐng)域的深耕者，從2000年就開始了相關(guān)的研發(fā)工作，并在2009年收購碳化硅襯底供應商SiCrystal后，于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET，目前產(chǎn)品涵蓋SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨。羅姆在2015年發(fā)布了第3代也是款商用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET產(chǎn)品，支持18V驅(qū)動。2020年，羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前，不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產(chǎn)品。分立封裝的產(chǎn)品已經(jīng)完成了面向消費電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備應用的產(chǎn)品線開發(fā)，后續(xù)將逐步開發(fā)適用于車載應用的產(chǎn)品。
    對比羅姆的第3代SiC MOSFET產(chǎn)品，第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點。根據(jù)測試結(jié)果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時間的前提下，羅姆采用改進的雙溝槽結(jié)構(gòu)，使得MOSFET的導通電阻降低了約40％，傳導損耗相應降低。此外，從RDS(on)與VGS的關(guān)系圖中，我們可以發(fā)現(xiàn)第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時具有更平坦的梯度，這意味著第4代SiC MOSFET的驅(qū)動電壓范圍可拓展至15V-18V。

    圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET導通電阻測試結(jié)果示意圖
    同時，第4代SiC MOSFET還改善了開關(guān)性能。通常，為了滿足更大電流和更低導通電阻的需求，MOSFET存在芯片面積增大、寄生電容增加的趨勢，因而存在無法充分發(fā)揮碳化硅原有的高速開關(guān)特性的課題。第4代SiC MOSFET，通過大幅降低柵漏電容（Cgd），成功地使開關(guān)損耗比以往產(chǎn)品降低約50％。

    圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET開關(guān)損耗測試結(jié)果示意圖
    此外，羅姆還對第4代SiC MOSFET進行了電容比的優(yōu)化，大大提高了柵極和漏極之間的電容（CGD）與柵極和源極之間的電容（CGS）之比，從而減少了寄生電容的影響。比如，可以減小在半橋中一個快速開關(guān)的SiC MOSFET施加在另一個SiC MOSFET上的高速電壓瞬變（dVDS/dt）對柵源電壓VGS的影響。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導通的可能性，以及可能損壞SiC MOSFET的負VGS尖峰出現(xiàn)的可能性。
    n支持工具
    羅姆在下面的SiC介紹頁面中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等碳化硅功率半導體的概要，同時，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持內(nèi)容，供用戶參考。
    SiC介紹頁面網(wǎng)址： https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices
    第4代SiC MOSFET的支持內(nèi)容：
     9 9概要介紹視頻、產(chǎn)品視頻
     9 9應用指南（產(chǎn)品概要和評估信息、主驅(qū)逆變器、車載充電器、SMPS）
     9 9設(shè)計模型（SPICE模型、PLECS模型、封裝和Foot Print等的3D CAD數(shù)據(jù)）
     9 9主要應用中的仿真電路（ROHM Solution Simulator）
     9 9評估板信息 ※如需購買評估板，請聯(lián)系羅姆的銷售部門。

    n總結(jié)
    綜上，羅姆通過進一步改進自有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，使第4代SiC MOSFET具有低導通電阻、的短路耐受時間、低寄生電容、低開關(guān)損耗等優(yōu)點。憑借高性能元器件以及豐富的支持工具，羅姆將助力設(shè)計人員為未來的電力電子系統(tǒng)創(chuàng)建可行且節(jié)能的解決方案。